Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых...

Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров

آپ کو یہ کتاب کتنی پسند ہے؟
فائل کی کوالٹی کیا ہے؟
کوالٹی کا جائزہ لینے کے لیے کتاب ڈاؤن لوڈ کریں
فائل کی کوالٹی کیا ہے؟
Презентация: Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров.В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо- или гете-ропереходом; излучательная рекомбинация инжектированных носителей в активной области структуры. Явление инжекции неосновных носителей служит основным механизмом введения неравновесных носителей в активную область структуры светоизлучающих диодов . Когда в полупроводнике создается р—n-переход, то носители в его окрестностях распределяются таким образом, чтобы выровнять уровень Ферми.
زبان:
russian
فائل:
PPTX, 2.49 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian0
ڈاؤن لوڈ کریں (pptx, 2.49 MB)
میں تبدیلی جاری ہے۔
میں تبدیلی ناکام ہو گئی۔

اہم جملے